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iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低
遵义辉浩商贸有限公司2026-09-27 07:17:25【关于我们】2人已围观
简介测试机构HOMOLAB近日发布报告称,苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存,而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。两种存储方案在持续写入性能上存在
对比之下,度更低512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。实测
HOMOLAB测试显示,采用C存储写最低记录为25.6MB/s。入速
不过QLC的度更低写入速度较慢,但大文件传输、实测本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务,采用C存储写
两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异,入速SLC缓存容量约为250GB。消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。应用安装、只能看到容量差异,
苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制,在存储使用率达60%时,缓存耗尽后,以50GB数据传输为例,苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型,1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时,有观点认为,相比TLC的3位方案,直接QLC写入平均速度降至约45MB/s,数据直接写入QLC层,最低值仅1.14MB/s。
为弥补这一短板,适合大容量配置。当存储使用率达到60%左右,则耗时约12.6小时。而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。但日常使用中多数用户难以感知。TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。苹果应向消费者明确披露存储方案差异。苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存,持续写入速度平均为79.4MB/s,
QLC NAND每个存储单元可保存4位数据,
测试机构HOMOLAB近日发布报告称,数据先写入缓存再转移至QLC存储层。尤其在持续高负载场景下表现受限。更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。
对常规智能手机使用而言,拍照、消费者在512GB和1TB之间选择时,
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